Samsung começará a produzir em massa a RAM HBM2 de 4 GB mais rápida do mundo

A Samsung Electronics anunciou que começará a produzir em massa o primeiro pacote DRAM de 4 GB da indústria com base na interface HBM2.

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A Samsung Electronics anunciou que começará a produzir em massa o primeiro pacote DRAM de 4 GB da indústria com base na interface High Bandwidth Memory (HBM2) de segunda geração.

O pacote DRAM de 4 GB é baseado na interface HBM (HBM2) de segunda geração, que pode transmitir dados a uma velocidade mais de sete vezes o limite de desempenho de DRAM atual.

A nova RAM deve ser usada em computação de alto desempenho (HPC), gráficos avançados e sistemas de rede, bem como servidores corporativos.



Ao produzir em massa a próxima geração de DRAM HBM2, podemos contribuir muito mais para a rápida adoção de sistemas HPC de próxima geração por empresas globais de TI, disse Sewon Chun, vice-presidente sênior de Marketing de Memória da Samsung Electronics em um comunicado.

A Samsung diz que o recém-introduzido 4GB HBM2 DRAM baseado no processo de 20 nanômetros da empresa e possui 256GBps de largura de banda, que é o dobro de um pacote HBM1 DRAM. A Samsung também afirma que sua nova RAM é mais eficiente em termos de energia do que as versões anteriores.

A Samsung também planeja começar a produzir um pacote DRAM HBM2 de 8GB ainda este ano.